VSP-G1 納米粒子發(fā)生器是一臺桌面式儀器，用于生成尺寸范圍為 1 – 20 nm 的純金屬、金屬氧化物或合金納米氣溶膠材料。納米顆粒的生產(chǎn)完全在氣相中進(jìn)行，因此無需使用表面活性劑或前驅(qū)體。用于納米粒子生產(chǎn)的源材料是由所需材料制成的兩根靶材（電極）。使用時只需安裝電極并設(shè)置參數(shù)，按下按鈕即可開始生成納米粒子。所有 VSPARTICLE 產(chǎn)品均采用模塊化設(shè)計，因此 VSP-G1 納米粒子發(fā)生器既可以用作獨(dú)立的納米氣溶膠源，也可以與不同的沉積模塊結(jié)合使用。

獲得不同組分的納米材料是納米研究的關(guān)鍵，利用VSP-G1配合不同的電極可以產(chǎn)生雙金屬、納米合金或在塊狀狀態(tài)下不混溶的材料等粒子。火花燒蝕可以在放電通道產(chǎn)生高達(dá)20000K的瞬時高溫，足以克服塊體材料的宏觀不溶性，產(chǎn)生更多的材料可能性。混合兩個純電極或使用合金電極可以通過成分控制調(diào)整材料組分。類似地，通過并聯(lián)或串聯(lián)運(yùn)行兩個 VSP-G1，每個 VSP-G1 使用不同的電極材料，*后產(chǎn)生分層結(jié)構(gòu)的材料（例如，分層結(jié)構(gòu)、核-殼或異質(zhì)結(jié)構(gòu)）

VSP-G1 *有價值的一點(diǎn)是能夠調(diào)整所生產(chǎn)納米粒子的平均粒徑。這是通過改變氣體流速來實(shí)現(xiàn)的，當(dāng)然這會影響納米顆粒在反應(yīng)器內(nèi)的停留時間。 較低的流速通過為初級顆粒提供更多的時間來凝并，從而導(dǎo)致較大的平均粒徑，而較快的流速可產(chǎn)生較小的顆粒。根據(jù)準(zhǔn)備的樣品類型（例如 TEM 網(wǎng)格或多孔涂層），還可以調(diào)整總功率以改變產(chǎn)率。更高的電壓/電流組合帶來更高的燒蝕率和更大的顆粒。 氣溶膠技術(shù)區(qū)別與其它真空氣相技術(shù)的**特點(diǎn)便是在常壓下利用氣體有效影響納米顆粒的生長與傳輸過程。

采用模塊化設(shè)計，VSP-G1 納米粒子發(fā)生器可輕松與沉積裝置結(jié)合使用，以制備先進(jìn)的納米材料。基于擴(kuò)散、過濾或沖擊技術(shù)，有不同的沉積模塊可用。

產(chǎn)品優(yōu)勢

VSP-G1 納米粒子發(fā)生器是一臺桌面式儀器，用于生成尺寸范圍為 1 – 20 nm 的純金屬、金屬氧化物或合金納米氣溶膠材料。納米顆粒的生產(chǎn)完全在氣相中進(jìn)行，因此無需使用表面活性劑或前驅(qū)體。用于納米粒子生產(chǎn)的源材料是由所需材料制成的兩根靶材（電極）。使用時只需安裝電極并設(shè)置參數(shù)，按下按鈕即可開始生成納米粒子。所有 VSPARTICLE 產(chǎn)品均采用模塊化設(shè)計，因此 VSP-G1 納米粒子發(fā)生器既可以用作獨(dú)立的納米氣溶膠源，也可以與不同的沉積模塊結(jié)合使用。