◆PLMapping測量

◆多種激光器可選

◆Mapping掃描速度：優于20點/秒

◆空間分辨率：10um（物鏡），50um（透鏡）

◆光譜分辨率：0.1nm@1200g/mm

◆Mapping結果以3D方式顯示

◆**8吋的樣品測量

◆晶片精確定位

◆樣品真空吸附

◆可做低溫測量

◆膜厚測量

測試原理：

PL是一種輻射復合效應。在一定波長光源的激發下，電子吸收激發光子的能量，向高能級躍遷而處于激發態。激發態是不穩定的狀態，會以輻射復合的形式發射光子向低能級躍遷，這種被發射的光稱為熒光。熒光光譜代表了半導體材料內部，一定的電子能級躍遷的機制，也反映了材料的性能及其缺陷。

操作簡便、全電腦控制

PMEye-3000系列PL Mapping測量儀，是一款適合于半導體晶片和LED外延片科研、生產和質量控制環節的儀器；采用整機設計，用戶只需要根據需要放置合適的檢測樣品，無需進行復雜的光路調整，操作簡便；所有控制操作均通過計算機來控制實現。

全新的樣品臺設計，采用真空吸附方式對樣品進行固定，防止對樣品的損傷；可對常規尺寸的晶圓樣品進行精確定位，提高測量重復性。

系統采用直流和交流兩種測量模式，直流模式用于常規檢測，交流模式用于微弱熒光檢測。

熒光測量

一般的PL測量儀只是測量熒光的波長和強度。PMEye-3000系列增加對激光強度的監控，并根據監控結果來對熒光測量進行校正。這樣就可以消除激發光源的不穩定帶來的測量誤差，也使測量結果有可比性。

Mapping功能

PMEye-3000系列配置200X200mm的X-Y電控位移臺，**可測量8英寸的晶圓樣品。用戶可以根據不同的樣品規格來設置掃描區域及空間分辨率，掃描速度優于每秒20個點，空間分辨率可達10um（物鏡），50um（透鏡）。掃描結果以3D方式顯示，以不同的顏色來表示不同的熒光強度。

激光器

PMEye-3000系列有多種高穩定性的激光器可選，系統*多可內置2個激光器和一個外接激光器，標配為1個激光器。用戶可以根據測量對象來配置不同的激光器，使PL檢測更加靈活。

PMEye-3000系列可內置的激光器波長有：266nm，405nm，442nm，532nm、785nm等，外置激光器波長有：325nm，632.8nm等。

功能強大的軟件

我們具有多年的測量儀器操作軟件的開發經驗，熟悉用戶的操作習慣，這使我們開發的這套PMEye-3000系列操作軟件功能強大且操作簡便。

PMEye-3000系列操作軟件提供單點PL光譜測量及顯示，單波長的X-Y Mapping測量及顯示，mapping結果以3D方式顯示。同時具有多種數據處理方式來對所測量的數據進行處理。

低溫樣品室附件

該附件可實現樣品在低溫狀態下的熒光檢測。

有些樣品在不同的溫度條件下，將呈現不同的熒光效果，這時就需要對樣品進行低溫制冷。

如圖所示，從圖中我們可以發現在室溫時，GaN薄膜的發光波長幾乎含蓋整個可見光范圍，且強度的**峰出現在580nm附近，但整體而言其強度并不強；隨著溫度的降低，發光強度開始慢慢的增加，直到110K時，我們可以發現在350nm附近似乎有一個小峰開始出現，且當溫度越降越低，這個小峰強度的增加也越顯著，一直到*低溫25K時，基本上就只有一個熒光峰。

GaN薄膜的禁帶寬度在室溫時為3.40Ev，換算成波長為365nm，而我們利用PL系統所測的GaN薄膜在25K時在356.6nm附近有一個峰值，因此如果我們將GaN薄膜的禁帶寬度隨溫度變化情況也考慮進去，則可以發現在理論上25K時GaN的禁帶寬度為3.48eV，即特征波長為357.1nm，非常靠近實驗所得的356.6nm，因此我們可以推斷這個發光現象應該就是GaN薄膜的自發輻射。

性能及功能

探測器選擇