碳化硅SiC

供應2,3,4,6英寸，切割小塊的SiC碳化硅晶片。

碳化硅(SiC)是一種性能優越的新型化合物半導體材料。

碳化硅半導體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場強(約為硅的10倍)、

高熱導率(約為硅的3倍)等優良特性，是制作高溫、

高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導體材料。

同時，也是僅次于鉆石的優良的半導體材料。

目前我們還提供標準的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，

用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、

結型場效應晶體管(JFET)和雙極結型晶體管(BJT)的制作。

這些電力電子器件可廣泛應用于包括太陽能逆變器、風

力發電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節能系統。

尺寸：2,3,4,6英寸；

晶向：On axis：±0.5°for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

Off axis：4.0° toward 1120±0.5°for4H-N/4H-SI

厚度(um)：350±25

直徑(mm)：50.8±0.3

表面粗糙度：Polish Ra≤1nm，CMP Ra≤0.5nm