化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(CVD)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）， 內(nèi)爐膛表面涂有美國進(jìn)口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時(shí)也可以延長儀器的使用壽命。HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）等

混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，環(huán)境溫度在100-300℃，但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性，這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。

HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)，由HTTF-1200單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計(jì)、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成。

真空管式爐PECVD系統(tǒng)可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高端裝飾等領(lǐng)域。