一、產(chǎn)品概述：
液封直拉法（LEC）技術可生長適用于直接離子注入的高純非摻雜半絕緣單晶或多晶等。
二、主要特點：
1. 我公司可制作大規(guī)格坩堝（**直徑12inch，**高度17inch）；
2. 純度高（>99.99%）；
3. 1500℃下，a方向的熱導率是c方向的20倍以上，有利于形成單晶生長所需的溫度梯度。
三、產(chǎn)品應用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半導體單晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物單晶。