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>半導體制造用高純超細立方SiC微粉
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西安博爾新材料有限責任公司
西安
面議
博爾
7124
0~0.1μm
導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性
由高純度(99.99%~99.9999%)、精細(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源,經氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅,其優異的導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性使其在**、航天、航空、電子行業等高尖端領域用來替代電子級單晶硅和多晶硅,成為當前高科技領域公認的第三代半導體材料和LED等應用的電子封裝、基板材料。
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100nm-120μm
WO
NSC-01粉
GSC-50
β-SiC
NSC-01
β-SiC流體磨料
β/α- SiC研磨介質球
β-SiC+碳化硼復合流體磨料
微米級高純β-SiC粉體
QZ-0017
高密度硅碳棒
碳化硅
MG-C010
GC0.5
409-21-2
240#
JIS#12-#12000
α阿爾法相碳化硅
W63-W1
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