前   述：立方碳化硅(3C-SiC/β-SiC)是一種碳化硅晶體結構屬于立方晶系。它具有與金剛石相似的晶體結構，但晶格常數和原子間距略有不同。3C-SiC的晶格常數為a = 4.358A ，每個晶胞包含兩個碳原子和一個硅原子。在晶體結構中，碳原子和硅原子以等間距排列并形成立方晶格。它的晶體結構空間群為F-43m。在晶體結構中，碳原子和硅原子交替排列形成連續的Si-C鍵。3C-SiC的晶體結構是立方晶系的，具有碳原子和硅原子交替排列的特點。

     立方碳化硅(3C-SiC/β-SiC)性能與金剛石接近，光潔度及研磨拋光性能遠超α-SiC(黑碳化硅和綠碳化硅)和白剛玉系列。在1600℃以上溫度時立方碳化硅（β-SiC）仍具有較高的強度。

HP-SiC

高純度碳化硅

3C-SiC

立方碳化硅

3C-Silicon Carbide

純    度：2N-6N（**純度：99.99994%）

結    構：3C (β-SiC）屬于立方碳化硅

特    點：3C-SiC碳化硅微粉具體吸波性能好、晶型完整、導熱系數高，電子遷移率、擊穿電場強

度、相對介電常數等電學                  

性能各向同性等特點，同時還具有高硬度，耐高溫，耐熱震，耐腐蝕，耐輻射等優良性能。

用    途：廣泛應用于電子、信息、精密加工、**、航空航天、高級耐火材料、特種陶瓷材料、

高級磨削材料和復合增強添加材料等領域。

粒度規格：

工業級3C-SiC粉料純度檢測值

化學成分：