氮化鎵（GaN）半導體禁帶寬度大、導熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。

常用規格：

N 型（硅摻）自支撐氮化鎵

尺寸：10*10mm  |  2英寸直徑50.8mm  |  4英寸直徑100mm

晶向：(0001) Ga face

電阻率： ≤ 0.05 ohm.cm

拋光：雙面拋光

N 型（非摻）自支撐氮化鎵

尺寸：10*10mm  |  2英寸直徑50.8mm  |  4英寸直徑100mm

晶向：(0001) Ga face

電阻率： ≤ 0.5 ohm.cm

拋光：單面拋光  |  雙面拋光