磷化銦（InP）是由銦和磷組成的二元半導體。它具有面心立方（“zincblende”）晶體結構，與GaAs和大多數III-V半導體相同。磷化銦可以通過白磷和碘化銦在400℃下的反應制備，也可以通過在高溫和高壓下直接組合純化的元素，或通過三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來制備。磷化銦用于高功率和高頻電子設備，因為它相對于更常見的半導體硅和砷化鎵具有優異的電子速度。它與銦鎵砷一起用于制造破紀錄的假晶異質結雙極晶體管，其可以在604GHz下工作。它還具有直接帶隙，使其可用于激光二極管等光電器件。Infinera公司使用磷化銦作為制造光通信行業光子集成電路的主要技術材料，以實現波分復用應用。磷化銦還用作外延基于銦鎵砷的光電器件的襯底。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”磷化銦單晶片。