干激光劃片:

1、晶圓開槽:干激光作用是去除劃道內部的金屬層(金屬層會粘連在刀片上,影響切割道質量),然后使用金剛刀片切硅材料部分;

2、晶圓隱切:晶圓劃道內改質切割,然后采用裂片的方式再次處理晶圓,但該工藝成熟度不高切割質量不穩定;

3、晶圓全切:主要是熱影響導致現階段不能大規模使用。微射流邀光劃片:晶圓開槽、帶金屬層全切(不受切割道內材料影響),一次性切除晶圓材料,同時保證藍膜不斷,便于下一步轉運操作。

目前金剛刀劃片技術工藝存在下述工藝瑕疵:

1、粘連(金屬襯底等材料會粘連拉絲)；

2、Die strength越薄的wafer速度越慢,厚度25um的wafer的加工速度小于50mm/s,與微射流激光技術剛好相反。