LPE（液相法）生長碳化硅具有晶體缺陷少、生長效率高、生長溫度低、節能、降低電耗等優點，可生長p型碳化硅晶體。

產品特點

可以生長超過6英寸的晶體

正壓設計，腔體壓力可達180 kPa，減少溶液揮發

腔體內壁拋光處理，減少附著力，實現高真空

兩級設計，方便保持腔內清潔

更精準的控壓技術，長晶工藝壓力波動<5Pa

雙加熱系統設計可在解決方案內提供更均勻的溫度場

籽晶軸、坩堝軸冷卻水流量可精確控制，溫度場更穩定

具有籽晶旋轉升降、坩堝旋轉、加熱線圈升降功能

籽晶旋轉和坩堝旋轉模式可編程，方便技術開發

獨特的工藝氣體引入設計，使工藝氣體可以直接傳遞到種子的背面

高精度傳動部件，重復定位偏差<10μm

自主開發的控制系統，豐富的公式編輯界面，操作權限分級，可遠程控制

技術參數

腔室內部尺寸Φ900×1200mm主加熱圈功率100kW熱場**直徑520mm**溫度2200℃籽晶提取速度處理速度：0.01-0.5mm/h

快速移動速度：6-300mm/min籽晶旋轉1-100rpm，旋轉模式可編程坩堝轉速1-100rpm，旋轉模式可編程卷材升降速度處理速度：0.01-5mm/h

快速移動速度：6-300mm/min電源接口3P 380VAC，112kVA

3P 380VAC，24kVA

3P 380VAC，15kVA氣源Ar、He、N2，壓力＞0.2MPa

壓縮空氣、壓力0.4-0.6MPa冷卻水壓力0.3-0.5MPa

流量200L/min尺寸1800×1500×4400mm（不包括坩堝拆卸絞車和平臺）

4080×3050×4400mm（包括坩堝拆卸絞盤和平臺）重量4000kg