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SHNTI的X-射線薄膜窗能夠實現軟X-射線(如真空紫外線)的**透射率。主要用于同步輻射X射線透射顯微成像時承載樣品。 X-射線越軟(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特別在“離軸”狀態工作（即薄膜與光束成一定角度）時，也需要較薄的薄膜窗口，便于X射線更好地穿透。

SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用現代MEMS技術制備而成，由于此種氮化硅窗口選用低應力氮化硅（0-250MP）薄膜，因此比計量式和ST氮化硅薄膜更堅固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常適合應用于透射成像和透射能譜等廣泛的科學研究領域，例如，X-射線（上海光源透射成像/能譜線站）、TEM、SEM、IR、UV等。

現在SHNTI可以提供X-射線顯微成像/能譜（同步輻射）用氮化硅薄膜窗系列產品，規格如下：

外框尺寸 (4種標準規格):

5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm 或和 1.5 mm 方形)

7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm 或 2.5 mm)

10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm 或 5 mm 方形)

邊框厚度： 200μm、381μm、525μm。

Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm

SHNTI也可以為用戶定制產品（30-500nm），但要100片起訂。

本產品為一次性產品，SHNTI不建議用戶重復使用，本產品不能進行超聲清洗，適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。

與X射線用氮化硅窗口類似，透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗口也使用低應力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小，適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規格。同時SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

現在SHNTI可以提供透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗系列產品，規格如下：

外框尺寸:

3 mm x 3 mm (窗口尺寸：0.5 mm，薄膜厚度：50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：100 nm) 邊框厚度： 200μm、381μm。

Si3N4薄膜厚度： 50nm、100nm

SHNTI也可以為用戶定制產品(30-200nm)，但要100片起訂。

本產品為一次性產品，SHNTI不建議用戶重復使用，本產品不能進行超聲清洗，適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。

技術指標：

表面平整度：

我們認為薄膜與其下的硅片同樣平整， TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為：0.6-2nm。完全適用于TEM表征。

親水性

該窗格呈疏水性，如果樣品取自水懸浮液，懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機對薄膜進行親水處理，可暫時獲得親水效果。雖然沒有對其使用壽命進行過測試，但預期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網格相當的壽命。我們可以生產此種蝕刻窗格，但無法保證其使用壽命。如果實驗室有蝕刻工具也可對其進行相應的處理提高其親水性能。

溫度特性：

氮化硅薄膜窗口產品是耐高溫產品，能夠承受1000度高溫，非常適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。

化學特性：

氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。

應用簡介和優點：

1、 適合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的對同一區域的交叉配對表征。

2、 大窗口尺寸，適合TEM大角度轉動觀察。

3、 無碳、無雜質的清潔TEM觀測平臺。

4、 背景氮化硅無定形、無特征。

5、 耐高溫、惰性襯底，適應各種聚合物、納米材料、半導體材料、光學晶體材料和功能薄膜材料的制備環境，（薄膜直接沉積在窗口上）。

6、 生物和濕細胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。。

7、 耐高溫、惰性襯底，也可以用于化學反應和退火效應的原位表征。

8、 適合做為膠體、氣凝膠、有機材料和納米顆粒等的表征實驗承載體。

氮化硅薄膜應用范圍非常廣，甚至有時使不可能變為可能，但所有應用都有無氮要求（因樣本中有氮存在）：

惰性基片可用于高溫環境下，通過TEM、SEM或AFM（某些情況下）對反應進行動態觀察。

作為耐用基片，首先在TEM下，然后在SEM下對同一區域進行“匹配”。

作為耐用匹配基片，對AFM和TEM圖像進行比較。

聚焦離子束（FIB）樣本的裝載，我們推薦使用多孔薄膜，而非不間斷薄膜。

許多研究納米微粒，特別是含氮納米微粒的人員發現此種薄膜窗格在他們實驗中不可缺少。氣凝膠和干凝膠的基本組成微粒尺寸極小，此項研究人員也同樣會發現氧化硅薄膜窗格的價值。

優點：

• SEM應用中，薄膜背景不呈現任何結構和特點。

• x-射線顯微鏡中，裝載多個分析樣的**方法。

• 無氮

高溫應用，氮化硅薄膜在1000°C高溫下仍能保持穩定的性能。

使用前清潔：

氮化硅薄膜窗格在使用前不需進行額外清潔。有時薄膜表面邊角處會散落個別氧化物或氮化物碎片。由于單片網格需要從整個硅片中分離，并對外框進行打磨，因此這些微小碎片不可避免。盡管如此，我們相信這些碎片微粒不會對您的實驗產生任何影響。

如果用戶確實需要對這些碎片進行清理，我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清潔有機物，用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清潔金屬。

通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜，因超聲波可能使其粉碎性破裂。

詳細情況，您可以與我們取得聯系。我們為您一一解答。

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