SD-900M 型離子濺射儀外觀亮麗做工精致。一般針對(duì)不耐高溫的樣品（如：薄膜類樣品，樹脂類等等）

磁控濺射是物理氣相沉積的一種。

一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，

磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

需要鍍膜的樣品

1、電子束敏感的樣品:

主要包括生物樣品，塑料樣品等。SEM中的電子束具有較高能量，在與樣品的相互作用過程中，它以熱的形式將部分能量傳遞給樣品。如果樣品是對(duì)電子束敏感的材料，那這種相互作用會(huì)破壞部分甚至整個(gè)樣品結(jié)構(gòu)。這種情況下，用一種非電子束敏感材料制備的表面鍍層就可以起到保護(hù)層的作用，防止此類損傷；

2、非導(dǎo)電的樣品:

由于樣品不導(dǎo)電，其表 面帶有“電子陷阱”， 這種表面上的電子積累 被稱為“充電”。為了 消除荷電效應(yīng)，可在樣 品表面鍍一層金屬導(dǎo)電 層，鍍層作為一個(gè)導(dǎo)電 通道，將充電電子從材 料表面轉(zhuǎn)移走，消除荷 電效應(yīng)。在掃描電鏡成 像時(shí)，濺射材料增加信 噪比，從而獲得更好的成像質(zhì)量。

3、新材料:非導(dǎo)電材料和半導(dǎo)體材料

原理：

在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時(shí)，經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過熱。

參數(shù)：

主機(jī)規(guī)格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）

靶（上部電極）：金：50mm×0.1mm（D×H）

靶材：Au（標(biāo)配）也可根據(jù)實(shí)際情況配備銀靶、鉑靶等

樣品室：硼硅酸鹽玻璃160mm×120mm（D×H）

樣品臺(tái)：可安裝直徑50mm和直徑70mm的樣品臺(tái)，也可根據(jù)自身要求定制樣品臺(tái)

靶材尺寸：Ф50mm

真空指示表： **真空度：≤ 4X10-2 mbar

離子電流表： **電流：100mA

定時(shí)器： *長(zhǎng)時(shí)間：0-360S

微型真空氣閥：可連接φ3mm軟管

可通入氣體： 多種

**電壓： -1600 DCV

機(jī)械泵：標(biāo)準(zhǔn)配置2L/S（國產(chǎn)VRD-8）

輸入電壓：220V(可做110V)，50HZ

特點(diǎn)：

1、經(jīng)濟(jì)、可靠、外觀精美。

2、成膜速率高。

3、基片溫度低。

4、膜的粘附性好。

5、可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。

6、可調(diào)節(jié)濺射電流和真空室壓強(qiáng)以控制鍍膜的速率和顆粒的大小。

7、SETPLASMA手動(dòng)啟動(dòng)按鈕可預(yù)先設(shè)置好壓強(qiáng)和濺射電流避免對(duì)膜造成不必要的損傷。

8、真空保護(hù)可避免真空過低造成設(shè)備短路。