Rpo-6型號拋光機

主要特點

技術(shù)

化學(xué)機械拋光（CMP）是用來對正在加工中的晶片或其他物料進(jìn)行平坦化處理的過程，而拋光技術(shù)則是利用了物理和化學(xué)的協(xié)同作用對晶片進(jìn)行的拋光，通過給儲存在拋光片里樣本的底座一個加載力而完成的，當(dāng)包含了研磨劑和活性化學(xué)劑兩種成分的拋光液通過底部時，拋光墊和樣本開始計數(shù)旋轉(zhuǎn)。

原位摩擦

該儀器通過測量原位摩擦和磨損程度來研究基本的拋光技術(shù)，而摩擦的變化則可用來描述移除率的近似值。

原位墊片磨損

原位磨損率則可用來反應(yīng)在拋光，調(diào)節(jié)等情況下墊片的狀態(tài)。

狀態(tài)

原位和非原位調(diào)節(jié)

晶片尺寸

易于替換的晶片夾具可在同一測試儀上進(jìn)行拋光樣品的尺寸由1英寸至6英寸。

泵

獨立的可編程泵可提供泥漿，水以及其他的化工產(chǎn)品。

消耗品和相關(guān)咨詢

我們所提供的標(biāo)準(zhǔn)拋光材料里包含的不僅僅是儀器還有一系列的消耗品(拋光液、拋光墊等)，與此同時，我們科學(xué)團(tuán)隊也會為您提供有關(guān)工藝流程開發(fā)和優(yōu)化的咨詢服務(wù)。

規(guī)格

人工晶片裝載

臺式CMP研發(fā)系統(tǒng)

l原位和非原位調(diào)節(jié)

l使用可編程泵的泥漿和水管

l高硬度和良好的力控制

l340mm的滾筒直徑

l6英寸的樣本

l原位摩擦和墊片磨損選

l打印尺寸 w870x，d800x，h870mm

l應(yīng)用程序—CMP，MEMS，消耗品測試

應(yīng)用

拋光

工藝開發(fā)

環(huán)境開發(fā)

拋光液開發(fā)

拋光墊表征

粒子開發(fā)