粉體行業(yè)在線展覽
邊緣濕法刻蝕設(shè)備
面議
盛美半導(dǎo)體
邊緣濕法刻蝕設(shè)備
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用于晶圓邊緣多種不同疊加薄膜層的刻蝕清洗,提高先進工藝的晶圓邊緣良率
高刻蝕精度,刻蝕寬度大小可調(diào)
自主**技術(shù)可做到更精準高效的晶圓對準,控制精度高、均勻性高,可實現(xiàn)精準邊緣刻蝕
高產(chǎn)能,低化學品消耗
設(shè)備和工藝可擴展至10nm以下工藝技術(shù)節(jié)點
對下層材料刻蝕具有高選擇比,對晶圓無損傷的特點
出色的晶圓邊緣清洗能力,更好的顆??刂?/p>
可靈活應(yīng)用于多種襯底材料,包括重摻雜片、Bonding 片、超薄片等
適用于12寸晶圓邊緣清洗
*多可配置4個Lord Port
可配置12個工藝腔體
真空夾盤對晶圓進行夾持
可對晶圓正背面邊緣進行清洗,*多可配備5種藥液進行清洗工藝
每個腔體均配置高精度的晶圓對中單元
可配置高精度的晶圓邊緣檢測單元
電鍍設(shè)備X
單片清洗設(shè)備
Post-CMP清洗設(shè)備
無應(yīng)力拋光設(shè)備
濕法去膠設(shè)備
濕法刻蝕設(shè)備
顯影設(shè)備
涂膠設(shè)備
電鍍設(shè)備A
PECVD設(shè)備
前道涂膠顯影設(shè)備
立式爐設(shè)備
FORJ
Spex 3636 X-Press? 實驗室用自動壓片機
ZYP-X60T
PD-10電鏡粉末制樣儀
SPEED wave
全自動切片機
YPZ-GZ110L
德國MicroTec—CUT4055
XHLQM-30
T-SPARM 取樣裝置