全自動雙站化學吸附儀CM8320

ChemiMaster 8320(CM8320)系列儀器基于動態(tài)技術可進行TPD(程序升溫脫附)、TPR（程序升溫還原），TPO（程序升溫氧化）、脈沖化學吸附測金屬分散度、蒸汽吸附、BET單點比表面積的物理吸附分析、多組分競爭性吸附，用于測定催化劑材料的酸堿量、酸堿強度、貴金屬分散度、氧化還原性能、多組分競爭性吸附等重要指標。
                  
儀器主要技術參數及優(yōu)勢

●雙站設計，每個工作站獨立運行，每個工作站管路并聯結構設計
●MFC數量：4 
●TCD數量：2個
●反應爐工作溫度范圍：室溫～1200℃，可選配低溫裝置
●反應爐溫度測控方式：采用“床溫”和“爐溫”雙點測控方式 
●樣品溫度測控方式：獨立的溫度傳感測量與控制
●檢測器類型：線性度良好的萊鎢合金高靈敏熱導檢測器TCD 
●儀器內部整體保溫：**可達300℃
● 氣體管路數：8路氣體，自由切換
● 氣體流速范圍：5～100 SCCM
● 軟件顯示：程序升溫實時顯示，閥門狀態(tài)實時顯示
●質譜取氣端口：位于樣品管出氣口位置，避免氣流干擾
● 安全提醒：具有系統危險狀態(tài)報警功能
●多組分競爭性氣體吸附，可以進入4路氣體
● 蒸汽發(fā)生器: 可以選配蒸汽發(fā)生器，可以進行各種蒸汽化學吸附
● LOOP環(huán)：可以選配3種體積以上的LOOP環(huán)，*小體積150微升
● 管路材質和管徑：配置1/8 英寸的SS 316不銹鋼管路和自動六通閥 
● 管路保溫：儀器內部所有管線和控制閥門均加熱保溫設計 
●長寬高：110CM*63CM*83CM
●功率：1500瓦
●重量：150kg

儀器主機

儀器主機圖解

                    
                   
儀器選型表
               
競爭性吸附
 
通過TPD或脈沖滴定等過程，可以測試樣品對于特定氣體吸附量。但在實際應用中，樣品所接觸到的氣氛通常更為復雜，不同氣體同時與樣品接觸時，吸附能力并非簡單的加和關系，而有可能表現出不同組分的競爭關系（X組分的存在有可能抑制樣品對于Y組分的吸附）或協調關系（X組分的存在有可能促進樣品對于Y組分的吸附）。因此對于實際應用場景，有必要針對更為復雜的氣體配比條件，測試樣品對于多組分氣體的實際吸附能力。
 
TPD：程序升溫脫附

樣品的表面活性位（例如酸中心）吸附探針分子（例如NH3）后，在載氣吹掃下進行程序升溫，記錄樣品溫度與載氣濃度的變化，即為TPD測試譜圖。譜圖中探針分子的脫附峰的溫度對應活性中心的強度，譜圖中探針分子的脫附峰的面積對應活性中心的數量。

TPR/TPO：程序升溫還原/程序升溫氧化

TPR用于表征金屬催化劑的還原性。用一定比例的H2/Ar混合氣體作為載氣流過樣品床層并按照一定速率程序升溫。記錄樣品溫度與載氣濃度的變化，即為TPR測試譜圖。譜圖中還原峰的溫度對應金屬中心的還原性能，譜圖中還原峰的面積對應金屬中心還原過程的耗氫量。
TPO與TPR類似，用氧化性氣體代替還原性氣體，用于測試金屬中心的氧化性能。

脈沖滴定

以脈沖方式向樣品表面定量注入特定的氣體，記錄載氣濃度的變化，未被吸附的氣體將流過樣品床層并被檢測器記錄。記錄載氣濃度的變化得到脈沖滴定譜圖，其中記錄到的峰對應于未被吸附的氣體的量，脈沖的次數對應于總脈沖量，兩者差減就是樣品的吸附量。脈沖滴定用于表征活性金屬面積，分散度，平均晶粒尺寸等參數。