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		Helios 5 CX	Helios 5 HP	Helios 5 UX	Helios 5 HX	Helios 5 FX
		樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像		*終樣品制備 (TEM薄片，APT)		STEM 亞納米成像與樣品制備
SEM	著陸電壓	20 eV~30 keV		20 eV~30 keV
	分辨率	0.6 nm@15 keV		0.6 nm@2 keV

		1.0 nm@1 keV		0.7 nm@1 keV

				1.0 nm@500 eV
STEM	分辨率@30 keV	0.7 nm		0.6 nm		0.3 nm
FIB制備過程	**材料去除束流	65 nA	100 nA	65 nA
	終*拋光電壓	2 kV		500 V
TEM樣品制備	樣品厚度	50 nm	15 nm	7 nm
	自動化	否	是	是
樣品處理	行程	110×110 ×65 mm	110×110 ×65 mm	150×150 ×10 mm	100×100 ×20 mm	100×100×20mm+5軸（S）TEM Compustage
	快速進樣器	手動	自動	手動	自動	自動+自動插入/提取STEM 樣品桿

		Helios 5 CX	Helios 5 UX
離子光學		具有**的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒	具有**的大束流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒
	離子束電流范圍	1 pA – 100 nA	1 pA – 65 nA
	加速電圧	500 V – 30 kV	500 V – 30 kV
	**水平視場寬度	在束重合點處為0.9 mm	在束重合處點為0.7 mm
	離子源壽命	1,000 小時	1,000 小時
		兩級差分抽吸	兩級差分抽吸
		飛行時間校準	飛行時間校準
		15孔光闌	15孔光闌
電子光學		Elstar超高分辨率場發射鏡筒	Elstar超高分辨率場發射鏡筒
		磁浸沒物鏡	磁浸沒物鏡
		高穩定性肖特基場發射槍提供穩定的高分辨率分析電流	高穩定性肖特基場發射槍提供穩定的高分辨率分析電流
電子束分辨率	**工作距離下	0.6 nm @ 30 kV STEM	0.6 nm @ 30 kV STEM
		0.6 nm @ 15 kV	0.7 nm @ 1 kV
		1.0 nm @ 1 kV	1.0 nm @ 500 V (ICD)
		0.9 nm @ 1 kV 減速模式*
	在束流重合點	0.6 nm @ 15 kV	0.6 nm @ 15 kV
	在束流重合點	1.5 nm @ 1 kV 減速模式* 及 DBS*	1.2 nm @ 1 kV
電子束參數	電子束流范圍	0.8 pA ~ 176 nA	0.8 pA ~ 100 nA
	加速電壓范圍	200 V ~ 30 kV	350 V ~ 30 kV
	著陸電壓	20 eV ~ 30 keV	20 eV ~ 30 keV
	**水平視場寬度	2.3 mm @ 4 mm WD	2.3 mm @ 4 mm WD
探測器		Elstar 鏡筒內 SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE)
		Elstar 鏡筒內 SE/BSE 探測器 (ICD)*
		Elstar 鏡筒內 BSE 探測器 (MD)*
		樣品室內 Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD)
		紅外相機
		高性能離子轉換和電子探測器 (SE)*
		樣品室內 Nav-Cam 導航相機*
		可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態背散射探測器 (DBS)*
		可伸縮STEM 3+ 探測器*
		電子束流測量
樣品臺和樣品	樣品臺	高度靈活的五軸電動樣品臺	壓電陶瓷驅動 XYR 軸的高精度五軸電動工作臺
	XY	110 mm	150 mm
	Z	65 mm	10 mm
	R	360° (連續)	360° (連續)
	傾斜	-15° ~ +90°	-10° ~ +60°
	**樣品高度	與優中心點間隔 85 mm	與優中心點間隔 55 mm
	**樣品質量	樣品臺任意位置 500 g	樣品臺任意位置 500 g
	**樣品質量	0° 傾斜時** 5 kg	樣品臺任意位置 500 g
	**樣品尺寸	直徑 110 mm可沿樣品臺旋轉時	直徑 150 mm可沿樣品臺旋轉時
		優中心旋轉和傾斜	優中心旋轉和傾斜