粵升設備融合二十余年的SiC晶體工藝經驗打造，給您提供高質量，低成本的SiC單晶。

設備名稱:液相法SiC單晶爐

規格參數

設備型號:YS-C08S01

設備尺寸:L1800xW1400xH3750mm

適用工藝:LPE法(兼容PVT法)

長晶尺寸:6吋兼容8吋

籽晶/坩堝升降行程:200mm

籽晶/坩堝旋轉速度范圍:0-180rpm

**加熱溫度:800~2200℃C

設備特點

·液相法SiC長晶特點

·生長的晶體質量高，缺陷少，沒有微管類缺陷，晶體應力低，

·可生長n型、p型SiC單晶晶錠，也可生長3C-SiC

·生長過程對溫場影響小，工藝穩定性好

·不需預合成SiC粉原料，生長成本低

·生長溫度低，能耗低。