粵升設(shè)備自主研發(fā)的SiC外延爐，外延爐已獲得多家外延生長廠家批量訂單，生長的SiC外延片質(zhì)量達到國際**水平，滿足SBD和MOSFET器件的制備要求。

設(shè)備名稱:SiC外延爐

設(shè)備型號:YS-E08S01

設(shè)備功能:CVD法生長SiC同質(zhì)外延

襯底尺寸:6吋兼容8吋

片內(nèi)厚度不均勻性:<2%片內(nèi)摻雜濃度不均勻性:<5%形貌缺陷密度:<1個/平方c㎡

·具備n、p型及高速率的外延生長能力

·RUN TO RUN性能優(yōu)異

高均勻性、低缺陷的SiC外延質(zhì)量

，供液一體化系統(tǒng)，