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EMPro多入射角激光橢偏儀

直接聯(lián)系

北京賽凡光電儀器有限公司

北京

產品規(guī)格型號

參考報價：

面議

關注度：

1024

產品介紹

EMPro是針對高端研發(fā)和質量控制領域推出的**型多入射角激光橢偏儀。

EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設計實現(xiàn)了納米薄膜的**厚度測量。

EMPro采用了量拓科技多項**技術。

特點：

原子層量級的極高靈敏度
百毫秒量級的快速測量
簡單方便的儀器操作

應用：

EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產品環(huán)境中的新品研發(fā)或質量控制。EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。EMPro可應用的納米薄膜領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。

技術指標：

項目	技術指標
儀器型號	EMPro31
激光波長	632.8nm (He-Ne Laser)
（^1）膜層厚度精度	0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO₂膜層)
（^1）折射率精度	1x10^-4(對于Si基底上100nm的SiO₂膜層)
單次測量時間	與測量設置相關，典型0.6s
結構	PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度）
激光光束直徑	1mm
入射角度	40°-90°可手動調節(jié)，步進5°
樣品方位調整	Z軸高度調節(jié)：±6.5mm 二維俯仰調節(jié)：±4° 樣品對準：光學自準直和顯微對準系統(tǒng)
樣品臺尺寸	平面樣品直徑可達Φ170mm
**的膜層范圍	透明薄膜可達4000nm 吸收薄膜則與材料性質相關
**外形尺寸	887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
儀器重量（凈重）	25Kg
選配件	水平XY軸調節(jié)平移臺真空吸附泵
軟件	ETEM軟件：中英文界面可選； l多個預設項目供快捷操作使用； l單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據擬合；方便的數(shù)據顯示、編輯和輸出豐富的模型和材料數(shù)據庫支持

注：(1)精度：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。

性能保證：

高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、先進的采樣方法以及低噪聲探測技術，保證了高穩(wěn)定性和高準確度
高精度的光學自準直系統(tǒng)，保證了快速、高精度的樣品方位對準
穩(wěn)定的結構設計、可靠的樣品方位對準，結合先進的采樣技術，保證了快速、穩(wěn)定測量
分立式的多入射角選擇，可應用于復雜樣品的折射率和**厚度的測量
一體化集成式的儀器結構設計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間
一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據庫，方便用戶使用

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