反應式離子蝕刻機

性能特點 Capability Features:

用于失效分析的剝層分析解決方案群，世界頂尖反應式離子蝕刻機，物理沉移系統，原子層化學氣相沉積系統.

RIE/PE and RIE-ICP FA system

這些靈活的失效分析工具可以實現從鈍化層的去除到各項異性的氧化物的去除，從小管芯或已封裝的器件到300mm直徑的晶片整個范圍的工藝.

去除氮化物鈍化層后 刻蝕金屬間介質后 四層金屬暴露 金屬間介質后的失效分析

優點:

- 工藝靈活，既可采用RIE/PE，也可采用ICP

- 先進的管芯工藝：采用等離子體加速器的刻蝕速率比標準的RIE工藝快20倍

產品范圍：

- 可以處理300mm晶片的RIE/PE雙模式設備

- 快速低損傷的模具刻蝕裝置

- 處理200mm晶片的雙模式設備

- 填充用的正硅酸乙酯（TEOS）工藝

應用:

- 各向同性的聚酰亞胺的去除（RIE或ICP模式）

- 各向同性的氮化物（鈍化層）的去除（PE或ICP模式）

- 各向異性的氧化物（金屬間介質/層間介質）的去除（RIE或ICP模式）

- 各向異性的低K值氧化物的去除（RIE或ICP模式）

- 金屬支架的去除（RIE或ICP模式）

- 多晶硅的去除（RIE模式）

- 鋁或銅的去除（ICP模式）