PMGI & LOR負光刻膠使能高產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于在處理多種數(shù)據(jù)存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離。PMGI & LOR負光刻膠作為雙疊層光刻膠，在超出單層防腐可以延長限制剝離處理。這包括非常高的分辨率的金屬化（＜0.25μM），以及非常厚（＞4μm）金屬化。這些獨特的材料可幾乎滿足任何客戶需要。

PMGI & LOR的特性：

1）高分辨，可用于 <0.25 μm Lift-off 工藝

2）undercut 結(jié)構(gòu)可控，溶解速率易于調(diào)節(jié)

3）在Si，NiFe，GaAs，nP和其它III-V材料上有良好的粘附力

4）與 g-， h-，i-line，DUV，193 nm 和 E-beam 光刻膠等兼容

5）良好的耐熱穩(wěn)定性

6）去膠容易，剝離干凈

應(yīng)用：金屬電梯加工，橋制造，釋放層

PMGI & LOR的屬性

1）覆蓋在成像抗蝕劑不會混雜

2）在TMAH雙疊層一步發(fā)展，或KOH開發(fā)

3）高熱穩(wěn)定性：Tg ~190 C

4）快速清除和常規(guī)抗剝離干凈

5）0.25μm微米雙層抗蝕成像

6）產(chǎn)量高，可用于很厚（＞3μm）金屬剝離處理

加工環(huán)境：

溫度：20-25°± 1°C

濕度：35-45% ± 2%

相關(guān)溶液：

顯影液：101 Developer

去膠劑：Remover PG

稀釋液：G Thinner

一般儲存溫度：

4-27°C