簡介 ： 1.溫度范圍：100-1850℃。 2.進口發熱體，工作溫度精確度達±0.5℃。 3.坩堝具有旋轉功能，可根據需要設置旋轉速度和方向。 4.設備可用于2-4英寸單晶生長需求，可根據客戶需求定制化所需其它功能。 5.氮化鎵高壓助熔劑晶體生長設備： 簡介 ： 1.溫度范圍：100-1850℃。 2.進口發熱體，工作溫度精確度達±0.5℃。 3.坩堝具有旋轉功能，可根據需要設置旋轉速度和方向。 4.設備可用于2-4英寸單晶生長需求，可根據客戶需求定制化所需其它功能。 5.氮化鎵高壓助熔劑晶體生長設備： 簡介 ： 1.溫度范圍：100-1850℃。 2.進口發熱體，工作溫度精確度達±0.5℃。 3.坩堝具有旋轉功能，可根據需要設置旋轉速度和方向。 4.設備可用于2-4英寸單晶生長需求，可根據客戶需求定制化所需其它功能。 5.氮化鎵高壓助熔劑晶體生長設備：