原材料: T2/C1100

結構: Hat (dimple);Forged; Stiffener Ring

成型工藝:沖壓/CNC

平面度:<0.05

粗糙度:外觀面Ra0.2-0.6;粘接面Ra2.0以上

性能參數: 熱導率401(W/mK)25℃℃，線膨脹系數17.7(CTEppm/°C)，密度9.0(g/cm'鍍層處理: 化學鍍鎳/電鍍鎳、鍍層厚度2-10um

鹽霧時間: 48hrs

高溫考核:270°C30min

應用封裝:用于個人計算機的和服務器的CPU封裝，汽車設備的SOC/FPGA封裝，通信設備的處理器封裝，游戲系統處理器和圖像處理器以及人工智能處理

醤等封裝

材料特性:熱導率高、價格便宜、成型容易，可做多種結構設計，可大批量生產