設備特點

●溫度控制采用串級控制方式，對基片實際溫度進行實時智能控制。

●裝載采用SiC懸臂槳，避免了與工藝管磨擦產生粉塵。

●反應氣體分子送氣和族射送氣，避免氣相反應產生粉塵和改善均勻性。

●工作壓力閉環自動控制，提高工藝穩定性和重復性。

技術指標

●基片尺寸：4,6,8英寸圓片

●工作溫度：500～900℃

●工藝管路：1～3管

●恒溫區長度：400mm~800mm

●控溫精度：±0.5℃

●極限真空度：<1Pa

●膜厚均勻性：Si3N4：±3%； Poly-Si：±4%； TEOS-SiO2：±3%

應用范圍

　　用于半導體器件、電力電子器件、光電子等行業氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制備