美國SVT 脈沖激光沉積設備/PLD應用

● 多元素復合氧化物

● 高溫超導材料

● 磁性材料、金屬材料

● 低蒸汽壓材料

● MEMS

基本系統

腔室及真空泵

12’’ 快速門，250l/s 分子泵，全量程規

沉積源

靶臺，6X1’’(25mm) 靶，可以水平旋轉，可Z方向移動

樣品臺

1’’(25mm)大小，可加熱至800oC（1000oC可選），可水平旋轉，可Z方向移動

在線工藝監控

石英晶振沉積速率監控儀

自動化

自動化裝置：

控制樣品溫度和旋轉

靶臺的位置控制

靶臺旋轉

氣體控制

速率及厚度計算（利用QCM輸出）

激光束掃描（可選）

激光束屏蔽控制

自動泵抽和充氣

差分泵抽結構

RHEED分析（可選）

裝載室壓強監控（可選）

美國SVT 脈沖激光沉積設備/PLD主要特點
RF射頻等離子源(氧，氮)
升級高真空
增加進樣室
升級為Laser-MBE （L-MBE）系統
自動軟件控制

提供更潔凈的薄膜生長環境,控制解決方案