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M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備
面議
電子科技
M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
單臺(tái)(5管)產(chǎn)能≥3600片/小時(shí)(單管裝片416片/批);
沉膜均勻性好,膜厚均勻性指標(biāo)可達(dá):片內(nèi)≤3%、片間≤3%、批間≤3%;
350~580℃控溫范圍,同時(shí)滿足沉積氮化硅膜和退火工藝要求;
采用全套倍福控制系統(tǒng),自動(dòng)化程度高( 提供MES接口、遠(yuǎn)程監(jiān)控等功能);
全自動(dòng)上下舟系統(tǒng),一鍵全自動(dòng)工藝和完善的保護(hù)報(bào)警功能;
送料機(jī)構(gòu)強(qiáng)度、精度、速度、穩(wěn)定性大幅優(yōu)于同類產(chǎn)品。
基本參數(shù) | 成膜種類 | 氮化硅 |
裝片量與產(chǎn)能 | 416 片/批(156x156mm 方片),單臺(tái)5管產(chǎn)能≥3600片/小時(shí); | |
在線時(shí)間 | ≥98%; | |
設(shè)備功率 | 峰值功率≤280KW,平均功率≤70KW; | |
設(shè)備尺寸 | 7400mm(不含真空泵)×2110mm×3530mm(L×W×H); | |
成膜質(zhì)量參數(shù) | 成膜均勻性 | 片內(nèi)≤4%、片間≤3%、批間≤3%(膜厚80~120nm); |
折射率均勻性 | 片內(nèi)≤1.5%、片間≤1.5%、批間≤1.5%(折射率2~2.2); | |
溫控系統(tǒng)參數(shù) | 恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度 | ≤±1℃/1600mm (450℃時(shí)); |
溫度控制范圍 | 200~580℃; | |
溫度控制方式 | 五段雙回路溫度控制; | |
真空系統(tǒng)參數(shù) | 壓力控制 | 高精度VAT閥控制,控壓范圍220±40Pa; |
石墨舟傳輸系統(tǒng)參數(shù) | 石墨舟上料方式 | 全自動(dòng)機(jī)械手上下舟,在線式/離線式對(duì)接插片機(jī)可選; |
控制系統(tǒng)參數(shù) | 推舟機(jī)構(gòu) | 水平速度1~12000mm/min可調(diào),垂直速度1~150mm/min可調(diào),承重≥40KG; |
控制方式 | 高性能工控計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制工藝過(guò)程,并對(duì)工藝參數(shù)和工藝流程實(shí)時(shí)監(jiān)控; | |
基本參數(shù) | 在線時(shí)間 | ≥98%; |
設(shè)備功率 | 峰值功率≤280KW,平均功率≤70KW; | |
設(shè)備尺寸 | 7400mm(不含真空泵)×2110mm×3530mm(L×W×H); |
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
BTF-1200C-RTP-CVD
自動(dòng)劃片機(jī)
FM-W-PDS
Gasboard-2060
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037