粉體行業在線展覽
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粉體行業在線展覽
直接聯系
美國SVTA公司中國辦事處
美國
面議
2011
SVT 閥控沉積源可精確控制高蒸汽壓材料的束流。其獨特地閥門設計，使該源具有很好的工藝重復性以及束流反應即時性。驅動閥門可選，可實現自動工藝控制。
閥控沉積源與束流分流口相連，可以在很大面積的襯底上沉積。分流口光闌可以調節束流形狀，是太陽能電池以及OLED沉積工藝的**選擇。分流口可與襯底非常接近，因此提高了沉積速率。
增加熱激發區域可選，此區域可以提高多原子大分子的活性。熱激發的分子降低了材料消耗，提高了材料質量以及S和Se的結合力。
針閥設計可以精確控制高蒸汽壓材料的束流
熱激發部件可選，可提高材料結合力
可客戶定制分流口
源容量大，適于長期生長
是太陽能電池和OLED應用領域的**選擇
型 號 | 容 量 | 兼容的材料 |
SVTA-VC-200 | 200cc | As，Sb，Se， Te，S |
SVTA-VC-500 | 500cc | As，Sb，Se， Te，S |
SVTA-VC-15000 | 15，000cc | Se， Te，S |
SVTA-VC-30000 | 30，000cc | Se， Te，S |
饋入法蘭 | 4.5’’(DN63)CF 法蘭(其它尺寸可選) |
**體蒸發溫度 | 450 oC，500 oC除氣 |
分流口**溫度 | 700 oC，900 oC除氣 |
源溫度穩定性 | +/- 0.1 oC |
熱偶類型 | K型 |
電接插件 | 大氣下的燈絲：Amphenol環形燈絲 T/C:Omega亞微型 |
烘烤溫度 | 200oC |
束流穩定性 | <1%，帶有集成束流傳感器 |
**操作環境壓強 | 1X10-4Torr |
沉積均一性 | +/-6%(源與襯底距離300mm) +/-4%(源與襯底距離200mm) |
加熱時間 | 400 oC< 60min |
冷卻時間 | 100oC <120分鐘 |
熱絲CVD金剛石膜沉積設備HF450
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