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基礎(chǔ)研發(fā)型 HoF CVD
面議
江西漢可
基礎(chǔ)研發(fā)型 HoF CVD
1386
該款產(chǎn)品,基于熱絲CVD法(Hot Filament Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱(chēng)HoF CVD)鍍膜,適用于高校、科研機(jī)構(gòu)使用,或企業(yè)研發(fā)部門(mén)進(jìn)行原理性驗(yàn)證和技術(shù)開(kāi)發(fā)。熱絲CVD法與PECVD法在功能上具有相通性,例如硅基薄膜鍍膜、氮化硅鍍膜、氟系有機(jī)材料鍍膜等,可以相互替代。但因?yàn)殄兡さ脑聿煌?,又具有不同的特點(diǎn)。簡(jiǎn)要總結(jié)如下表所示:
| PECVD | HoFCVD | |
| 鍍膜質(zhì)量 | 高,有等離子體損傷 | 更高,無(wú)等離子體損傷 |
| 鍍膜速度 | 較慢(非晶硅慢,微晶硅更加慢) | 較快(相比于 PECVD,非晶硅快,微晶硅更快) |
| 設(shè)備造價(jià) | 高(射頻電源、碳基載板,勻氣結(jié)構(gòu)復(fù)雜) | 低(直流電源、金屬載板、勻氣結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單) |
| 運(yùn)營(yíng)成本 | 一般 | 較低 |
| 顆粒污染 | 鍍膜氣壓幾十-幾百 Pa,易形成粉塵;需每天 NF3 等離子清洗 | 鍍膜氣壓幾 Pa,不易形成粉塵;可忽略該問(wèn)題。 |
| 載板要求 | 一般碳基(石墨為主),載板是PE 放電的電極之一,參與放電,所以對(duì)其導(dǎo)電性等要求很高。 | 一般金屬載板。載板不參與氣體分子的裂解反應(yīng),導(dǎo)電性無(wú)要求。 |
| 繞鍍問(wèn)題 | 原理性問(wèn)題,需要載板、硅片的平整度和貼合程度要求很高才能避免。 | 可忽略。對(duì)載板、硅片的平整度、貼合程度要求低。 |
| 生產(chǎn)裝備結(jié)構(gòu) | 臥式:載板、硅片水平放置,自動(dòng)化易于實(shí)現(xiàn);粉塵顆粒易于粘附與硅片表面 | 立式:載板、硅片垂直放置,自動(dòng)化難度高;粉塵不易與粘在硅片表面。 |
| 鍍膜均勻性 | 小面積高;但面積增大難度極高(因?yàn)榈入x子體的控制難度高,有駐波效應(yīng))。 | 小面積低;但面積增大容易(因?yàn)闊峤z周期性排布) |
| 設(shè)備普及程度 | 高。裝備、工藝技術(shù)人員充足豐富。 | 低。裝備、工藝人員少。 |
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