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      >基礎(chǔ)型 HoF CVD

      基礎(chǔ)型 HoF CVD

      基礎(chǔ)研發(fā)型 HoF CVD

      直接聯(lián)系

      江西漢可泛半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

      江西

      產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
      參考報(bào)價(jià):

      面議

      品牌:

      江西漢可

      型號(hào):

      基礎(chǔ)研發(fā)型 HoF CVD

      關(guān)注度:

      1386

      產(chǎn)品介紹

      該款產(chǎn)品,基于熱絲CVD法(Hot Filament Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱(chēng)HoF CVD)鍍膜,適用于高校、科研機(jī)構(gòu)使用,或企業(yè)研發(fā)部門(mén)進(jìn)行原理性驗(yàn)證和技術(shù)開(kāi)發(fā)。熱絲CVD法與PECVD法在功能上具有相通性,例如硅基薄膜鍍膜、氮化硅鍍膜、氟系有機(jī)材料鍍膜等,可以相互替代。但因?yàn)殄兡さ脑聿煌?,又具有不同的特點(diǎn)。簡(jiǎn)要總結(jié)如下表所示:


      PECVDHoFCVD
      鍍膜質(zhì)量高,有等離子體損傷更高,無(wú)等離子體損傷
      鍍膜速度較慢(非晶硅慢,微晶硅更加慢)較快(相比于 PECVD,非晶硅快,微晶硅更快)
      設(shè)備造價(jià)高(射頻電源、碳基載板,勻氣結(jié)構(gòu)復(fù)雜)低(直流電源、金屬載板、勻氣結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單)
      運(yùn)營(yíng)成本一般較低
      顆粒污染鍍膜氣壓幾十-幾百 Pa,易形成粉塵;需每天 NF3 等離子清洗鍍膜氣壓幾 Pa,不易形成粉塵;可忽略該問(wèn)題。
      載板要求一般碳基(石墨為主),載板是PE 放電的電極之一,參與放電,所以對(duì)其導(dǎo)電性等要求很高。一般金屬載板。載板不參與氣體分子的裂解反應(yīng),導(dǎo)電性無(wú)要求。
      繞鍍問(wèn)題

      原理性問(wèn)題,需要載板、硅片的平整度和貼合程度要求很高才能避免。

      可忽略。對(duì)載板、硅片的平整度、貼合程度要求低。
      生產(chǎn)裝備結(jié)構(gòu)臥式:載板、硅片水平放置,自動(dòng)化易于實(shí)現(xiàn);粉塵顆粒易于粘附與硅片表面立式:載板、硅片垂直放置,自動(dòng)化難度高;粉塵不易與粘在硅片表面。
      鍍膜均勻性小面積高;但面積增大難度極高(因?yàn)榈入x子體的控制難度高,有駐波效應(yīng))。小面積低;但面積增大容易(因?yàn)闊峤z周期性排布)
      設(shè)備普及程度高。裝備、工藝技術(shù)人員充足豐富。低。裝備、工藝人員少。


      產(chǎn)品咨詢(xún)

      基礎(chǔ)型 HoF CVD

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      基礎(chǔ)型 HoF CVD - 1386
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