粉體行業在線展覽
MPCVD薄膜沉積系統
面議
普諾遜
MPCVD薄膜沉積系統
282
氣體純度7N
生長溫度
等離子體溫度5000'C~6000'C
腔體不銹鋼雙層腔體+水冷
金剛石外延片生長德國進口微波源
熱絲CVD金剛石膜沉積設備HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
BTF-1200C-RTP-CVD
自動劃片機
FM-W-PDS
Gasboard-2060
等離子化學氣相沉積系統-PECVD
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037