高密度等離子體

5I500D 具有優良的等離子體特性，例如高密度，低離子能量，沉積介質膜時低壓強等。平板ICP等離子源

SENTECH專有的平板三螺旋天線(PTSA)等離子源能實現高效低功率耦合。

優良的沉積效果

沉積的薄膜具有損傷少、擊穿電壓高、應力低，對襯底無損傷，極低表面態密度，能低于100℃的沉積等優良特性。動態溫控

襯底電極結合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態溫控，能提供穩定的工藝條件，溫度范圍為室溫至350°(

5I500D等離子增強化學氣相沉積系統可以進行介質膜、α-硅、SiC和其他材料的沉積。S1500D具有PTSA等離子源、分開式反應氣體進氣系統，動態襯底電極溫控，全面控制真空系統，采用遠程現場控制總線技術的SENTECH控制軟件，以及友好用戶操作界面來操作。S1500D可以在**尺寸為200mm的多種晶圓片上的進行沉積。單片真空裝片裝置保證了工藝條件穩定性，同時允許工藝的靈活切換。

S1500D型PECVD設備適用于室溫至350℃條件下進行的Si02、SiNx、SiONx a-Si薄膜的沉積，同時可實現TEOS源沉積SiC膜層沉積以及液態或氣態源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積,SENTECH面向高靈活性和高產能刻蝕和沉積系統提供各種級別的自動化裝置，從真空裝片系統到**6端口的工藝腔室裝置。S1500同樣可以作為多腔室配置中的一個工藝模塊。