粉體行業在線展覽
RG200
面議
RG200
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設備特點
適用于4/6/8/寸品圓or化合物半導體的磨削加工
配置高功率氣浮主軸,可應對碳化硅/氮化鎵品圓的磨前加工
*薄可將品圓加工至100um,同時保持TTV≤1.5um
配置非接觸式對中機構,降低夾持品圓破片風險
SECS/GEM標準配置,方便客戶導入ERP管控設備
非接觸式測量探頭,可應對SOI襯底及bonding wafer加工,精確控制*終厚度
軟件自主團隊開發,開放設備調試權限面向用戶,客戶放心維護設備
熱絲CVD金剛石膜沉積設備HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
BTF-1200C-RTP-CVD
自動劃片機
FM-W-PDS
Gasboard-2060
等離子化學氣相沉積系統-PECVD
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037