SAB8210CW是一款全自動C2W混合鍵合設備，既可以使用有圖案芯片進行C2W混合鍵合，實現Cu-Cu高密度互聯；也可以使用無圖案的裸芯片進行C2W親水性鍵合，形成重組晶圓后，再進行后續的芯片圖案化。

• 項目

  指標

• TF工位

  2

• FOUP工位

  2

• 鍵合壓力范圍

  1~300N

• 鍵合后精度

  ≤±500nm@片間同軸對準
  ≤±200nm@紅外穿透對準

• Chip尺寸

  5*8mm—50*50mm（紅外穿透對準，Tape Frame形式上料）
  0.5*0.5mm—50*50mm（片間同軸對準，Tape Frame形式上料）

• Wafer尺寸

  Φ200mm、Φ300mm

• UPH

  400~2000UPH（單鍵合頭）

• 工藝能力

  Cu-SiO₂，混合鍵合;Cu/SiCN 混合鍵合

• 多模塊一體化集成

  活化、清洗、解UV、芯片拾取、對準、鍵合、檢測