粉體行業(yè)在線展覽
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粉體行業(yè)在線展覽
6吋電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備 UK-T6
直接聯(lián)系
蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司
江蘇
面議
蘇州優(yōu)晶
6吋電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備 UK-T6
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電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備UK-T6
1、**解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點，可實現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內(nèi)部缺陷少， 良率高、重復(fù)性好；
2、與傳統(tǒng)工藝長達(dá)7-14天的晶體生長周期相比，UKING ERH SiC RV4.0設(shè)備晶體生長速度更快，整個過程可控制在7天之內(nèi)；
3、 自動化程度高，操控簡單，有利于批量生產(chǎn)，提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
BTF-1200C-RTP-CVD
自動劃片機(jī)
FM-W-PDS
Gasboard-2060
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037
