原子層沉積技術(shù)

原子層沉積系統(tǒng)：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供**的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。

原子層沉積系統(tǒng)應(yīng)用：

• 高介電薄膜

• 疏水涂層

• 鈍化層

• 深硅刻蝕銅互連阻擋層薄膜

• 微流控臺(tái)階涂層

• 用于催化劑層的單金屬涂層的燃料電池

ALD-4000原子層沉積系統(tǒng)特點(diǎn)：

• 獨(dú)立的PC計(jì)算機(jī)控制的ALD原子層沉積系統(tǒng)

• Labview軟件，具備四級(jí)密碼控制的用戶授權(quán)保護(hù)功能

• 安全互鎖設(shè)計(jì)，強(qiáng)大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3， AlN， TiN， ZrO2， LaO2， HfO2，等等）

• 12”的鋁質(zhì)反應(yīng)腔體，帶有加熱腔壁和氣動(dòng)升降頂蓋

• *多7個(gè)50ml的加熱汽缸，用于前驅(qū)體以及反應(yīng)物，同時(shí)帶有N2或者Ar作為運(yùn)載氣體的快脈沖加熱傳輸閥

ALD-4000原子層沉積系統(tǒng)選配項(xiàng)：

• NLD-4000系統(tǒng)的選配項(xiàng)包含自動(dòng)L/UL上下載(用于6”基片)

• ICP離子源(用于等離子增強(qiáng)的PEALD)

• 臭氧發(fā)生器

等等客戶定制選項(xiàng)

案例：6”晶圓片上的均勻性數(shù)據(jù)