Orion HDCVD 高密度氣相化學沉積系統采用高密度的化學氣相沉積技術，在惰性氣體進入口安裝感應線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創建等離子體，通過氣體環在襯底表面附近引入揮發性氣體。當惰性氣體與揮發性物質結合時，會發生化學反應，然后在襯底表面沉積一層薄膜.

該技術不需要將襯底加熱到典型的PECVD溫度，并且該方法非常適合沉積在有機物、柔性襯底和其它具有溫度限制的表面上。

射頻可通過Chuck改變薄膜性能。

該系統可以升級傳送Loadlock，或添加到集群平臺Cluster。