產(chǎn)品詳情

PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

設(shè)備用途和功能特點(diǎn)

1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。

2、設(shè)備保護(hù)功能強(qiáng)，具備真空系統(tǒng)檢測與保護(hù)、水壓檢測與保護(hù)、相序檢測與保護(hù)、溫度檢測與保護(hù)。

3、配置尾氣處理裝置。

設(shè)備安全性設(shè)計(jì)

1、電力系統(tǒng)的檢測與保護(hù)

2、設(shè)置真空檢測與報(bào)警保護(hù)功能

3、溫度檢測與報(bào)警保護(hù)

4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量檢測與報(bào)警保護(hù)

設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

工作條件

單室與多室PECVD設(shè)備