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Primo nanova?12英寸刻蝕設(shè)備
面議
中微公司
Primo nanova?12英寸刻蝕設(shè)備
460
Primo nanova?是中微基于電感耦合(ICP)技術(shù)研發(fā)的12英寸刻蝕設(shè)備。它可以配置多達(dá)六個(gè)刻蝕反應(yīng)腔和兩個(gè)可選的除膠反應(yīng)腔。其中刻蝕反應(yīng)腔采用了軸對(duì)稱設(shè)計(jì),具有高反應(yīng)氣體通量。ICP發(fā)射天線采用了中微具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)對(duì)離子濃度和離子能量的高度獨(dú)立控制。反應(yīng)腔內(nèi)部涂有高致密性、耐等離子體侵蝕材料,以獲得更高的工藝重復(fù)性和生產(chǎn)率。設(shè)備還采用了多區(qū)細(xì)分的高動(dòng)態(tài)范圍溫控靜電吸盤,使加工出的集成電路器件的關(guān)鍵尺寸達(dá)到高度均勻性。Primo nanova適用于1X納米及以下的邏輯和存儲(chǔ)器件的刻蝕應(yīng)用。
低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì)
高抽速大容量渦輪泵
精密的腔體溫控系統(tǒng)
先進(jìn)的高致密性、耐等離子體侵蝕涂層工藝
多區(qū)細(xì)分的高動(dòng)態(tài)范圍溫控靜電吸盤
阻抗可調(diào)聚焦環(huán)設(shè)計(jì)
切換式雙頻偏壓系統(tǒng)
可選的集成除膠反應(yīng)腔
可選的Durga ESC
離子濃度和離子能量獨(dú)立可控
高排氣量和更寬的工藝窗口
優(yōu)秀的刻蝕均勻性
優(yōu)異的高深寬比刻蝕性能
高生產(chǎn)效率,低生產(chǎn)成本(CoO)
Plasma Scrubber等離子式廢氣處理設(shè)備
VOC凈化設(shè)備
Preforma Uniflex? CW
PRISMO UniMax? MOCVD設(shè)備
PRISMO HiT3? MOCVD設(shè)備
PRISMO A7? MOCVD設(shè)備
PRISMO D-BLUE?MOCVD設(shè)備
Primo Twin-Star? 12 英寸刻蝕設(shè)備
Primo nanova?12英寸刻蝕設(shè)備
Primo TSV? 高性能、高產(chǎn)能的深硅刻蝕設(shè)備
Primo HD-RIE?新一代電介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品
Primo iDEA?雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕除膠一體機(jī)
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
BTF-1200C-RTP-CVD
自動(dòng)劃片機(jī)
FM-W-PDS
Gasboard-2060
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037